題目性質:自編仿真題——題目、材料、選項、數據與情境均為按課程標準與聯招常見考點獨立編寫的原創仿真題,非真題原文,未取自任何題庫、教輔或試卷;解析與採分點為教研整理,非官方評分標準。
一、考點定位與做題順序
霍爾元件是一片薄片:電流沿長度方向流,磁場垂直片面穿入,霍爾電壓在寬度方向兩側量到。公式 U_H = R_H I B / d 裡的 d 是沿磁場方向的厚度——片越薄,同樣 B 下 U_H 越大。把 d 記成片寬或片長,結果會差一個數量級。
第二步看符號:載流子為電子(n 型)與為空穴(p 型)時,洛倫茲力方向相同但電荷符號相反,積累在兩側的電荷極性相反,U_H 反號。第三步做反向互驗:B 反向,U_H 翻號、大小不變,可消掉不等勢電勢等固定偏置。下面數據為自編示意,不代表真實器件參數。
二、逐題精講
題1
題1 由 U_H 求 B 與幾何量判定
自編元件:矩形薄片,電流沿長度方向 I = 2.00 mA,磁場垂直片面、大小待測,沿磁場方向的厚度 d = 0.200 mm;片長 8.00 mm、片寬 4.00 mm(均不進入 U_H 公式的 d)。載流子濃度 n = 5.00×10²² m⁻³,電荷量大小 q = 1.602×10⁻¹⁹ C。測得霍爾電壓 U_H = 0.3745 mV。
(1) 寫出霍爾係數 R_H 與 U_H 的表達式,說明為什麼 d 取 0.200 mm 而不是 8.00 mm 或 4.00 mm。(2) 求 R_H 與磁感應強度 B。(3) 若把 d 誤取為片寬 4.00 mm,算出的 B 變為多少?偏大還是偏小?
解析
(1) 霍爾係數 R_H = 1/(n q),霍爾電壓 U_H = R_H I B / d。d 取 0.200 mm = 2.00×10⁻⁴ m 的原因:推導裡電流密度 j = I/(寬 × d),洛倫茲力與電場平衡給出 E_H = vB,而 U_H = E_H × 寬,聯立後寬度約掉、只剩沿 B 方向的厚度 d 在分母。片長只決定電流路徑與電阻,不進入 U_H;片寬在推導中約掉。故 8.00 mm 與 4.00 mm 都不是 d。
(2) R_H = 1/(5.00×10²² × 1.602×10⁻¹⁹) = 1/8010 = 1.2484×10⁻⁴ m³/C。
由 U_H = R_H I B / d 得
B = U_H d /(R_H I) = (3.745×10⁻⁴ V × 2.00×10⁻⁴ m) / (1.2484×10⁻⁴ × 2.00×10⁻³ A)
分子 = 7.490×10⁻⁸;分母 = 2.4968×10⁻⁷;
B = 7.490×10⁻⁸ / 2.4968×10⁻⁷ = 0.300 T。
正向回代:U_H = 1.2484×10⁻⁴ × 2.00×10⁻³ × 0.300 / 2.00×10⁻⁴ = 1.2484×10⁻⁴ × 3.00 = 3.745×10⁻⁴ V = 0.3745 mV ✓ 與題給一致。
(3) 若 d′ = 4.00 mm = 4.00×10⁻³ m(是真實 d 的 20 倍),則
B′ = 0.300 × (4.00/0.200) = 6.00 T。
因為 B = U_H d/(R_H I) 與 d 成正比,d 記大 → B 偏大 20 倍。這與 00329 電流天平裡「B 與 L 成反比」方向相反:兩式的 d/L 分別落在分子與分母上,判誤差方向必須先看量在哪一側,不能背結論。
答案 (1) R_H=1/(nq),U_H=R_H·IB/d;d 為沿 B 方向厚度(推導中片寬約掉、片長不進入)。(2) R_H=1.2484×10⁻⁴ m³/C,B=0.300 T。(3) d 取 4.00 mm 得 B=6.00 T,偏大 20 倍。
採分點 寫出 R_H=1/(nq) 1 分;寫出 U_H=R_H·IB/d 1 分;說明片寬在推導中約掉 1 分;說明片長不進入公式 1 分;R_H=1.2484×10⁻⁴ 1 分;單位換算 d=2.00×10⁻⁴ m 1 分;B=0.300 T 1 分;d 記大→B 偏大 20 倍並指出與電流天平方向不同 1 分。
易錯點 把 0.3745 mV 當成 0.3745 V;把 n 的單位 m⁻³ 與 cm⁻³ 混用;把片寬當 d;套 B=U_H/(R_H I d) 把 d 放到分母;直接背「記大偏小」而不看 d 在分子。
題2
題2 反向互驗、載流子符號與偏置消除
沿用題1元件與 B = 0.300 T。保持 I 不變,把磁場反向,測得 U_H′ = −0.3745 mV;另在不加磁場時測到兩側存在一個固定的不等勢電勢 U₀ = +0.0200 mV。
(1) 說明反向後 U_H 翻號而大小不變的原因,並用兩次讀數給出消去 U₀後的淨霍爾電壓。(2) 若只做一次測量而不反磁場,測得值中會混入什麼? B 會被算成多少?(3) 若換用空穴導電的 p 型薄片(同 n、同 |q|、同 I、同 B),U_H 的符號與大小如何變化?
解析
(1) U_H ∝ B(且 ∝ I·B 的方向積)。B 反向使洛倫茲力方向翻轉,兩側積累的電荷極性對調,故 U_H′ = −U_H,大小不變。實際測量值是霍爾電壓與固定偏置之和:
正磁場:U₊ = U_H + U₀ = 0.3745 + 0.0200 = 0.3945 mV;
反磁場:U₋ = −U_H + U₀ = −0.3745 + 0.0200 = −0.3545 mV。
半差法:(U₊ − U₋)/2 = (0.3945 − (−0.3545))/2 = 0.7490/2 = 0.3745 mV,U₀ 被相消;半和法:(U₊ + U₋)/2 = 0.0400/2 = 0.0200 mV 正好還原偏置。
用淨 U_H = 0.3745 mV 回算 B 仍為 0.300 T ✓。
(2) 只測一次,讀數里會混入 U₀ = +0.0200 mV 這個不隨磁場反向的固定偏置(來源:兩霍爾電極未嚴格等勢、接觸電勢、溫差電勢等)。若直接拿 0.3945 mV 當 U_H,
B_wrong = 0.300 × (0.3945/0.3745) = 0.316 T,偏大約 +5.34%。單靠一次測量無法自察,這正是反向互驗的價值。
(3) 洛倫茲力 F = q v × B 中 q 由 −e 變為 +e(且漂移速度方向隨載流子類型相應改變),兩側積累電荷的極性整體對調,故 U_H 反號;因 n、|q|、I、B、d 全同,|R_H| = 1/(n|q|) 不變,大小仍為 0.3745 mV。
所以符號判類型、大小測 B:n 型(電子)與 p 型(空穴)在同向 I、B 下給出相反極性的 U_H。這也解釋了為什麼公式常寫 R_H = 1/(nq) 而 q 帶符號——把 q 的正負保留,U_H 的符號就自動跟著走。
答案 (1) U_H∝B,反向翻號大小不變;U₊=0.3945、U₋=−0.3545 mV,半差得淨 0.3745 mV、半和還原 U₀=0.0200 mV,B 仍 0.300 T。(2) 混入固定不等勢電勢 U₀,單次得 B≈0.316 T,偏大約 5.34%。(3) p 型 U_H 反號、大小不變(|R_H| 同)。
採分點 說明 U_H∝B 故翻號 1 分;寫出 U₊/U₋ 兩式 1 分;半差消去 U₀ 得 0.3745 mV 1 分;半和還原 0.0200 mV 1 分;回算 B=0.300 T 1 分;單次混入 U₀ 1 分;B≈0.316 T 與 +5.34% 1 分;p 型反號、大小不變並點明符號判類型 1 分。
易錯點 把反向後 U_H′ 直接當成淨霍爾電壓,漏加 U₀;用 (U₊+U₋)/2 當霍爾電壓(那是偏置);把偏置說成隨 B 反向也翻號;以為換 p 型後 |U_H| 也變;把半差與半和的作用寫反。
三、規律小結與對照表
| 環節 | 關係式 | 本元件數值 | 要點 | 誤差方向 |
|---|---|---|---|---|
| 霍爾係數 | R_H=1/(nq) | 1.2484×10⁻⁴ m³/C | q 帶符號 | 用 cm⁻³ 差 10⁶ 倍 |
| 幾何量 | U_H=R_H·IB/d | d=2.00×10⁻⁴ m | 片寬約掉、片長不進入 | 取片寬→B 偏大 20 倍 |
| 測 B | B=U_H·d/(R_H·I) | 0.300 T | d 在分子 | d 記大→B 偏大 |
| 反向互驗 | U₊−U₋=2U_H | 0.7490 mV → 淨 0.3745 mV | 半差消固定偏置 | 把半和當 U_H |
| 偏置 | U₀=(U₊+U₋)/2 | 0.0200 mV | 單次混入,無法自察 | 單次 B 偏大 5.34% |
| 載流子 | q 的符號→U_H 極性 | n 型 / p 型反號 | 符號判類型,大小測 B | 以為 |U_H| 也變 |
| 對比 | 00329:B∝1/L | — | 先看量在分子還是分母 | 別背「記大偏小」 |
霍爾法測 B 只抓三件事:d 是沿磁場的厚度(片寬在推導里約掉、片長不進入)、U_H = R_H·IB/d、反向磁場做半差互驗。半差 (U₊−U₋)/2 消掉不等勢電勢這類固定偏置,半和則把它還原出來;只測一次會把偏置算進 B,本題就偏大 5.34%。U_H 的符號判載流子類型、大小測 B。最後記一條與 00329 的對照:那裡 B∝1/L(分母記大偏小),這裡 B∝d(分子記大偏大),判誤差方向先看量在哪一側。本題電流、磁場、厚度、濃度與電壓均為自編示意數據,不代表任何真實器件參數。
四、自測清單
- □ 先確認 d 是沿 B 方向的厚度,片寬片長不代入;
- □ 濃度用 m⁻³、電壓用 V、厚度用 m 再代公式;
- □ R_H 裡 q 保留符號,便於判載流子類型;
- □ 正反磁場各測一次,用半差消偏置、半和還原偏置;
- □ 回代 U_H=R_H·IB/d 驗 B;
- □ 判誤差方向先看該量落在分子還是分母。