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例題精講 · 第 00066 題 · 自編流程·每一步為什麼做、浸出率怎麼算

工藝流程題的第一段幾乎都是預處理:粉碎、焙燒、酸浸/鹼浸。採分點不在「寫了操作名」,而在「為什麼」——增大接觸面積、把難溶物轉成可溶物、除去可燃雜質,以及浸出率的口徑。本文用一條自編流程配三道題,拆預處理目的、條件選擇與浸出率計算,給出完整解析與採分點,並附四查清單。

00066題號全 1000 篇 · 第 第11輪 / 第11冊 輪
方向化學·電化學與工藝流程六向之一
題型自編仿真題逐題精講 · 采分點拆解

題目性質:自編仿真題——題目、材料、選項、數據與情境均為按課程標準與聯招常見考點獨立編寫的原創仿真題,非真題原文,未取自任何題庫、教輔或試卷;解析與採分點為教研整理,非官方評分標準。

例題精講 · 化學電化學與工藝流程

一、考點定位與做題順序

預處理三件套各有固定答法:粉碎/研磨→增大固液接觸面積、加快浸出速率、提高浸出率(不改變平衡轉化率);焙燒/煅燒→使難溶礦物轉化為可溶化合物、除去碳/硫/有機質等可燃雜質、改變價態;浸出→用酸、鹼或水把目標元素轉入溶液,與不溶殘渣分離。

答題最容易丟的是把「速率」和「限度」混說:粉碎只加快、不提高平衡轉化率;升溫對速率與浸出率的影響要分開寫。下面流程與數據均為自編示意,不代表任何真實工業配方。

二、題目呈現

自編流程(示意)

以某含銅礦(主要成分為 CuS,另含 SiO₂ 與少量碳質脈石)為原料製備膽礬,示意流程如下:

① 礦石粉碎至 80 目 → ② 空氣中焙燒(約 600 ℃)→ ③ 用稀硫酸浸出,攪拌並保溫 60 ℃ → ④ 過濾,得含 CuSO₄ 的濾液與殘渣 → 後續除雜、蒸發濃縮、冷卻結晶。

已知自編數據:投入礦石 100.0 g,其中 CuS 質量分數 24.0%(CuS 相對分子質量取 96,Cu 取 64);浸出後測得濾液含 Cu²⁺ 相當於 14.4 g Cu,殘渣經洗滌乾燥後為 76.0 g。

題1(簡答)

分別說明步驟①粉碎、②焙燒、③浸出中「攪拌並保溫 60 ℃」的目的;並寫出焙燒時 CuS 發生的主要反應方程式(焙燒產物按 CuO 與 SO₂ 設定)。

題2(簡答)

說明步驟④所得殘渣的主要成分,並解釋為什麼浸出後要「洗滌殘渣」、洗液為什麼要併入濾液。

題3(計算)

按題給自編數據計算:① 原料中 Cu 的理論質量;② 銅的浸出率;③ 若把礦石粉碎得更細、其餘條件不變,浸出率與浸出速率分別會怎樣變化?請分「速率」與「限度」兩層作答。

三、分步解析

題1 ① 粉碎:把礦石粒度變小,增大固體與浸出液的接觸面積,從而加快浸出速率、使浸出更充分(提高實際浸出率)。注意表述分寸:粉碎不改變反應的平衡限度/理論轉化率,只改善動力學與實際接觸程度;答題寫「加快、更充分」最穩,不要寫「提高平衡轉化率」。

題1 ② 焙燒:三個目的——① 把難溶於稀硫酸的 CuS 氧化為可溶於酸的 CuO(同時把硫轉為 SO₂ 逸出),使銅能被後續浸出;② 除去碳質脈石(燃燒成 CO₂),減少後續耗酸與雜質;③ 高溫使部分礦物結構疏鬆,利於浸出。
主要反應(按題設產物):2CuS + 3O₂ = 2CuO + 2SO₂(條件:高溫/焙燒)。配平檢查:Cu 2=2、S 2=2、O 左 6、右 2+4=6 ✓。若寫成 CuS + 2O₂ = CuSO₄ 則與題設「產物為 CuO 與 SO₂」不符,本題按給定設定作答。SO₂ 需配套尾氣處理(如鹼液吸收),可順帶寫一句拿環保意識分。

題1 ③ 攪拌:使固液充分接觸、不斷更新顆粒表面的溶液邊界層,加快浸出速率並防止局部酸濃度過低;保溫 60 ℃:升溫加快反應速率與擴散速率,同時提高 CuO 與硫酸反應的程度。但溫度不宜過高:過高會使酸霧揮發、增加能耗、也可能使部分雜質更多溶出,故取 60 ℃ 是速率與選擇性的折中。答題把「加快」與「不宜過高」兩面都寫,體現條件控制意識。

題2 殘渣與洗滌 殘渣主要成分:SiO₂(不與稀硫酸反應、不溶),以及少量未反應的脈石與極少量未浸出的含銅物;碳質脈石已在焙燒中燒掉,不進殘渣。
洗滌殘渣的目的:殘渣表面與孔隙中附著含 Cu²⁺ 的濾液,若直接丟棄會損失目標銅、使測得浸出率偏低;用少量水(或稀酸)洗滌可把附著的 CuSO₄ 回收。洗液併入濾液:洗液中含有回收的 Cu²⁺,併入後既提高銅的回收率,又保證後續結晶的物料量與浸出率計算口徑一致;若棄去,等於人為少算了一部分已溶出的銅。答題要點出「附著液 + 回收率 + 口徑一致」三層。

題3 ① m(CuS) = 100.0 × 24.0% = 24.0 g,n(CuS) = 24.0/96 = 0.250 mol。每 mol CuS 含 1 mol Cu,故理論 n(Cu) = 0.250 mol,m(Cu)理論 = 0.250 × 64 = 16.0 g。

題3 ② 浸出率口徑:浸出率 =(已轉入濾液的目標元素質量 ÷ 原料中該元素理論質量)× 100%。本題濾液含 Cu 14.4 g(已按洗液併入後計),故 η = 14.4/16.0 × 100% = 90.0%。
順帶核對物料:未浸出的 Cu 為 16.0 − 14.4 = 1.6 g;殘渣 76.0 g 主要是 SiO₂ 等不溶物,題給殘渣質量用於佐證「大部分脈石未進入溶液」,但不能拿殘渣質量去反推浸出率——分母必須是原料中銅的理論量,這是本題設的口徑陷阱。

題3 ③ 速率層:粉碎更細 → 比表面積更大、固液接觸更充分、擴散路徑更短,浸出速率加快,達到同一浸出率所需時間縮短,且在固定浸出時間下實際浸出率通常會略有提高(因更多顆粒被充分接觸)。限度層:粉碎不改變 CuO 與 H₂SO₄ 反應的平衡限度,也不改變理論轉化率;在「時間足夠長、酸足量、攪拌充分」的理想條件下,最終能達到的浸出率上限由化學平衡與原料組成決定,與粒度無關。因此嚴謹表述是「加快速率、改善實際浸出充分程度;不提高平衡意義上的極限浸出率」。若答「粉碎提高平衡轉化率」則失分。

守恆回驗 由焙燒式 2CuS→2CuO,0.250 mol CuS 得 0.250 mol CuO,浸出反應 CuO + H₂SO₄ = CuSO₄ + H₂O 得 0.250 mol CuSO₄(理論);實測轉入濾液 0.250 × 90.0% = 0.225 mol Cu = 14.4 g ✓ 與題給一致。SO₂ 理論量 0.250 mol(標況 5.6 L),可據此核算尾氣吸收負荷,作為流程評價的補充。

四、採分點對照

設問答案要點採分點
題1 ①增大接觸面積,加快、更充分;不改平衡目的 2 分;「不改平衡限度」1 分
題1 ②轉可溶 CuO / 除碳質 / 結構疏鬆;2CuS+3O₂=2CuO+2SO₂三目的各 1 分;方程式 2 分;配平檢查 1 分;尾氣 1 分
題1 ③攪拌更新界面;60 ℃ 加快速率但不宜過高攪拌 1 分;升溫 1 分;折中/不宜過高 2 分
題2殘渣 SiO₂;洗附著液、併入保回收率與口徑殘渣成分 1 分;洗滌目的 2 分;併入理由 2 分;口徑一致 1 分
題3 ①16.0 gm(CuS) 與 n 各 1 分;理論 Cu 質量 1 分
題3 ②90.0%;分母是理論銅量公式 1 分;數值 2 分;口徑陷阱說明 1 分
題3 ③速率加快;平衡限度不變速率層 2 分;限度層 2 分;嚴謹表述 1 分

五、高頻易錯點

  • 把粉碎答成「提高平衡轉化率/改變限度」,混淆動力學與熱力學。
  • 焙燒目的只寫「除去雜質」,漏掉「把難溶 CuS 轉成可溶 CuO」這一主目的。
  • 焙燒方程式按 CuSO₄ 寫,與題設產物 CuO + SO₂ 不符,或未配平。
  • 升溫只寫「越快越好」,不答溫度過高帶來的酸霧、能耗、雜質溶出。
  • 殘渣成分誤答「碳」——碳質脈石已在焙燒中燒掉。
  • 浸出率分母用殘渣質量或礦石總質量,口徑錯。
  • 漏答「洗液併入濾液」,或只說「洗掉雜質」而不提回收 Cu²⁺。
  • 方程式、計算不回代守恆,配平係數算錯也看不出來。

六、小結與自查清單

預處理核心目的答題分寸
粉碎/研磨增大接觸面積、加快速率不改平衡限度
焙燒/煅燒轉可溶物、除可燃雜質、改價態產物按題設寫,配平
酸浸/鹼浸目標元素轉入溶液攪拌+適溫,兼顧選擇性
過濾+洗滌分離殘渣、回收附著目標離子洗液併入濾液
浸出率已溶出量 ÷ 原料理論量分母不是殘渣/礦石總量
  • □ 每個預處理操作寫「做了什麼 + 為什麼」,不只寫操作名。
  • □ 粉碎、升溫一律把「速率」與「限度」分開表述。
  • □ 焙燒產物按題設寫,方程式查原子守恆。
  • □ 條件控制題補一句「為何不取極端值」。
  • □ 殘渣成分逐一排除:不溶的、已燒掉的、未浸出的。
  • □ 浸出率先寫公式與分母口徑,再代數。
  • □ 洗滌題答「附著液 + 回收率 + 口徑一致」三層。
  • □ 有尾氣(SO₂)時順帶寫一句吸收處理。

預處理題的分,幾乎都落在「為什麼」和「分寸」上:粉碎只改善速率與接觸程度,不改平衡;浸出率的分母必須是原料裡目標元素的理論量;洗液併入濾液是為了不把已溶出的銅算丟。把這三句寫準,流程第一段就穩了。本流程與數據為便於命題的自編示意,不代表真實工業配方。

編寫說明與學科依據

本文為備考教研體例稿:題目系按課程標準與聯招常見考點範圍編寫的仿真練習題,非真題原文;文中案例為示意內容,非真實記錄;文末欄目為學科依據說明,非逐條引文。涉及報考、錄取、證件、居留、資助等事項,一律以當年官方文件與學校正式通知為準。

學科依據:

  • 人教版高中化學必修與選擇性必修:工藝流程中的原料預處理(粉碎、焙燒、浸出)
  • 《普通高等學校聯合招收華僑港澳臺學生考試大綱(化學科)》:化學實驗與工藝流程考查範圍(僅作命題範圍參照,本文題目未與真題逐題比對)
  • 編寫說明:題目、流程與數據均為按常見考點獨立編寫的原創仿真題,未取自任何題庫、教輔或試卷;解析與採分點為教研整理,非官方評分標準

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聯招化學·工藝流程:原料預處理(粉碎、焙燒、浸出)
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